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| Numéro d'article | TRS8E65C,S1Q |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 8A (DC) |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 8A |
| La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 90µA @ 650V |
| Capacitance @ Vr, F | 44pF @ 650V, 1MHz |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-220-2 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-220-2L |
| Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
En stock: 2
