Toshiba Semiconductor and Storage TC58BYG1S3HBAI6

Numéro d'article: TC58BYG1S3HBAI6
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Mémoire

Toshiba Semiconductor and Storage

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En Stock $ Quantité pcs

Prix de référence
(En dollars américains)
1 pcs
0.90300/pcs
10 pcs
0.77610/pcs
25 pcs
0.76368/pcs
50 pcs
0.76170/pcs
100 pcs
0.68058/pcs
250 pcs
0.65848/pcs
500 pcs
0.65602/pcs

Total:0.90300/pcs

Unit Price:

0.90300/pcs

Prix cible:

Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	TC58BYG1S3HBAI6
État de la pièce	Active
Type de mémoire	Non-Volatile
Format de la mémoire	EEPROM
La technologie	EEPROM - NAND
Taille mémoire	2Gb (256M x 8)
Fréquence d'horloge	-
Écrire un temps de cycle - Word, Page	25ns
Temps d'accès	25ns
Interface de mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	1.7 V ~ 1.95 V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	67-VFBGA
Package de périphérique fournisseur	67-VFBGA (6.5x8)