Toshiba Semiconductor and Storage RN2312(TE85L,F)

Numéro d'article: RN2312(TE85L,F)
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés

Toshiba Semiconductor and Storage

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3,000 pcs
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6,000 pcs
0.02100/pcs
15,000 pcs
0.01785/pcs
30,000 pcs
0.01680/pcs
75,000 pcs
0.01575/pcs
150,000 pcs
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Total:0.02415/pcs

Unit Price:

0.02415/pcs

Prix cible:

Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	RN2312(TE85L,F)
État de la pièce	Active
Type de transistor	PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Résistance - Base (R1) (Ohms)	22k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms)	-
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	100nA (ICBO)
Fréquence - Transition	200MHz
Puissance - Max	100mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SC-70, SOT-323
Package de périphérique fournisseur	USM