Toshiba Semiconductor and Storage RN1905,LF(CT

Numéro d'article: RN1905,LF(CT
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés

Toshiba Semiconductor and Storage

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Prix de référence
(En dollars américains)
1 pcs
0.02536/pcs
3,000 pcs
0.02536/pcs
6,000 pcs
0.02205/pcs
15,000 pcs
0.01875/pcs
30,000 pcs
0.01764/pcs
75,000 pcs
0.01654/pcs
150,000 pcs
0.01470/pcs

Total:0.02536/pcs

Unit Price:

0.02536/pcs

Prix cible:

Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	RN1905,LF(CT
État de la pièce	Active
Type de transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Résistance - Base (R1) (Ohms)	2.2k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms)	47k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	500nA
Fréquence - Transition	250MHz
Puissance - Max	200mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur	US6