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| Numéro d'article | RN1130MFV,L3F |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 50V |
| Résistance - Base (R1) (Ohms) | 100k |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) | 100k |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 500nA |
| Fréquence - Transition | 250MHz |
| Puissance - Max | 150mW |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SOT-723 |
| Package de périphérique fournisseur | VESM |
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
En stock: 0
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
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