Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-Y,LF

Numéro d'article: HN1B04FE-Y,LF
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices

Toshiba Semiconductor and Storage

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Prix de référence
(En dollars américains)
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4,000 pcs
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8,000 pcs
0.02310/pcs
12,000 pcs
0.01963/pcs
28,000 pcs
0.01848/pcs
100,000 pcs
0.01540/pcs

Total:0.02656/pcs

Unit Price:

0.02656/pcs

Prix cible:

Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	HN1B04FE-Y,LF
État de la pièce	Active
Type de transistor	NPN, PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	150mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 2mA, 6V
Puissance - Max	100mW
Fréquence - Transition	80MHz
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur	ES6