stmicroelectronics is a global independent semiconductor company and is a leader in developing and delivering semiconductor solutions across the spectrum
| Numéro d'article | STI11NM80 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 800V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 43.6nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1630pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | I2PAK (TO-262) |
| Paquet / cas | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Fabricant: STMicroelectronics
La description: MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
En stock: 950
