Numéro d'article | STGD10NC60SDT4 |
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État de la pièce | Obsolete |
Type d'IGBT | - |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 18A |
Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 25A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.65V @ 15V, 5A |
Puissance - Max | 60W |
Échange d'énergie | 60µJ (on), 340µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de porte | 18nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 19ns/160ns |
Condition de test | 390V, 5A, 10 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 22ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package de périphérique fournisseur | DPAK |
Fabricant: STMicroelectronics
La description: IGBT 600V 10A DPAK
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Fabricant: STMicroelectronics
La description: IGBT 600V 20A 62W D2PAK
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Fabricant: STMicroelectronics
La description: IGBT 600V 20A 60W DPAK
En stock: 0
Fabricant: STMicroelectronics
La description: IGBT 600V 20A 62W DPAK
En stock: 0
Fabricant: STMicroelectronics
La description: IGBT 600V 18A 60W DPAK
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Fabricant: ON Semiconductor
La description: MOSFET N-CH 20V 3.3A SC74
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Fabricant: STMicroelectronics
La description: IGBT 600V 25A 80W DPAK
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Fabricant: STMicroelectronics
La description: IGBT 420V 25A 125W IPAK
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