STMicroelectronics STB6N60M2

Numéro d'article: STB6N60M2
Fabricant: STMicroelectronics
La description: MOSFET N-CH 600V D2PAK
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

STMicroelectronics

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Paramètre du produit

Numéro d'article	STB6N60M2
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	4.5A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	232pF @ 100V
Vgs (Max)	±25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 2.25A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	D2PAK
Paquet / cas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB