Numéro d'article | DTD113EKT146 |
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État de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 50V |
Résistance - Base (R1) (Ohms) | 1k |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) | 1k |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package de périphérique fournisseur | SMT3 |
Fabricant: Rohm Semiconductor
La description: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
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Fabricant: Rohm Semiconductor
La description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
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Fabricant: Rohm Semiconductor
La description: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
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La description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
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La description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
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La description: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
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Fabricant: Rohm Semiconductor
La description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
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