Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Matrices UPA2660T1R-E2-AX

Renesas Electronics America UPA2660T1R-E2-AX

Numéro d'article
UPA2660T1R-E2-AX
Fabricant
Renesas Electronics America
La description
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.

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0.10875/pcs
Prix ​​cible:
Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article UPA2660T1R-E2-AX
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 10V
Puissance - Max 2.3W
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-WFDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 6-HUSON (2x2)
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UPA2660T1R-E2-AX

Fabricant: Renesas Electronics America

La description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON

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