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| Numéro d'article | RQJ0303PGDQA#H6 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 3.3A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 625pF @ 10V |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68 mOhm @ 1.6A, 10V |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 3-MPAK |
| Paquet / cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
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