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| Numéro d'article | RJK5015DPM-00#T1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 500V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 25A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 12.5A, 10V |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-3PFM |
| Paquet / cas | TO-3PFM, SC-93-3 |
Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 500V 14A LDPAK
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 500V 19A TO220
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 500V 25A TO-3P
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 500V 35A TO3P
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