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| Numéro d'article | RJK0454DPB-00#J5 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 40V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 20A, 10V |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | LFPAK |
| Paquet / cas | SC-100, SOT-669 |
Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
En stock: 0
Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
En stock: 0
Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK
En stock: 0
Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
En stock: 0
Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 40V LFPAK
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