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| Numéro d'article | RJK03M5DPA-00#J5A |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1890pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 15A, 10V |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 8-WPAK |
| Paquet / cas | 8-WFDFN Exposed Pad |
Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 30V 50A WPAK
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 30V 40A WPAK
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 30V 25A HWSON
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK
En stock: 0
