Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - IGBT - Simples RJH60A83RDPD-A0#J2

Renesas Electronics America RJH60A83RDPD-A0#J2

Numéro d'article
RJH60A83RDPD-A0#J2
Fabricant
Renesas Electronics America
La description
IGBT 600V 10A
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - IGBT - Simples
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.

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Paramètre du produit
Numéro d'article RJH60A83RDPD-A0#J2
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 20A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 10A
Puissance - Max 51W
Échange d'énergie 230µJ (on), 160µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 19.7nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 31ns/54ns
Condition de test 300V, 10A, 5 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 130ns
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur TO-252
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