renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.
| Numéro d'article | NP36P04KDG-E1-AY |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 40V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1.8W (Ta), 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 18A, 10V |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | TO-263 |
| Paquet / cas | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET P-CH 40V 36A TO-263
En stock: 0
Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET P-CH 40V 36A TO-252
En stock: 0
Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET P-CH 60V 36A TO-263
En stock: 0
Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET P-CH 60V 36A TO-252
En stock: 0
