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| Numéro d'article | NVD3055L170T4G-VF01 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 275pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±15V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 4.5A, 5V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | DPAK |
| Paquet / cas | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Fabricant: ON Semiconductor
La description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
En stock: 0
Fabricant: ON Semiconductor
La description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
En stock: 0
Fabricant: ON Semiconductor
La description: MOSFET N-CH 60V DPAK
En stock: 97500
Fabricant: ON Semiconductor
La description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
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