Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés NSM21156DW6T1G

ON Semiconductor NSM21156DW6T1G

Numéro d'article
NSM21156DW6T1G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Paramètre du produit
Numéro d'article NSM21156DW6T1G
État de la pièce Obsolete
Type de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V, 65V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 10k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 10k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA / 300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 230mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
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