Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés NSBC143EDP6T5G

ON Semiconductor NSBC143EDP6T5G

Numéro d'article
NSBC143EDP6T5G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Paramètre du produit
Numéro d'article NSBC143EDP6T5G
État de la pièce Active
Type de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 4.7k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 339mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-963
Package de périphérique fournisseur SOT-963
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