Numéro d'article | NCV5104DR2G |
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État de la pièce | Active |
Configuration pilotée | Half-Bridge |
Type de canal | Synchronous |
Nombre de pilotes | 2 |
Type de porte | IGBT, N-Channel MOSFET |
Tension - Alimentation | 10 V ~ 20 V |
Tension logique - VIL, VIH | 0.8V, 2.3V |
Courant - sortie de crête (source, évier) | 250mA, 500mA |
Type d'entrée | Non-Inverting |
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) | 600V |
Rise / Fall Time (Typ) | 85ns, 35ns |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package de périphérique fournisseur | 8-SOIC |
Fabricant: ON Semiconductor
La description: IC REG LDO 1.85V 0.15A 5TSOP
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Fabricant: ON Semiconductor
La description: IC REG LDO 1.8V 0.15A 5TSOP
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Fabricant: ON Semiconductor
La description: IC REG LDO 2.8V 0.15A 5TSOP
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Fabricant: ON Semiconductor
La description: IC REG LDO 3.3V 0.15A 5TSOP
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Fabricant: ON Semiconductor
La description: IC REG LDO 3.3V 80MA 5TSOP
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Fabricant: ON Semiconductor
La description: IC REG LDO 5V 80MA 5TSOP
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Fabricant: ON Semiconductor
La description: IC MOSFET DRIVER LOW SIDE 8SOIC
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Fabricant: ON Semiconductor
La description: IC REG DDR TERM 1.5A 8DFN
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Fabricant: ON Semiconductor
La description: IC REG DDR TERM 1.5A 8SOIC
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Fabricant: ON Semiconductor
La description: IC REG DDR TERM 2.0A 8SOIC
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