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| Numéro d'article | BUK652R7-30C,127 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6960pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 204W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 25A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-220AB |
| Paquet / cas | TO-220-3 |
Fabricant: NXP USA Inc.
La description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
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Fabricant: NXP USA Inc.
La description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
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Fabricant: NXP USA Inc.
La description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
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Fabricant: NXP USA Inc.
La description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
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Fabricant: NXP USA Inc.
La description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
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