Numéro d'article | NXP3875YR |
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État de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 150mA |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
Puissance - Max | 200mW |
Fréquence - Transition | 80MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package de périphérique fournisseur | TO-236AB (SOT23) |
Fabricant: NXP USA Inc.
La description: KIT PROMO ESD PROTECT DIODES
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Fabricant: NXP USA Inc.
La description: KIT ESD PROTECT DIODES 18VALUES
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Fabricant: NXP USA Inc.
La description: KIT ESD PROTECT DIODES 18VALUES
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Fabricant: WeEn Semiconductors
La description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2
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Fabricant: WeEn Semiconductors
La description: NXPLQSC20650WQ TO-247 STANDARD
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Fabricant: WeEn Semiconductors
La description: NXPLQSC30650WQ TO-247 STANDARD
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