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| Numéro d'article | MXPLAD18KP26AE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type | Zener |
| Canaux unidirectionnels | 1 |
| Canaux bidirectionnels | - |
| Tension - Inverser l'écart (Typ) | 26V |
| Tension - Panne (Min) | 28.9V |
| Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 42.1V |
| Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) | 428A |
| Puissance - Impulsion de crête | 18000W (18kW) |
| Protection de ligne électrique | No |
| Applications | Automotive |
| Capacité @ Fréquence | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | Nonstandard SMD |
| Package de périphérique fournisseur | PLAD |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 10VWM 17VC PLAD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 10VWM 17VC PLAD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 100VWM 162VC PLAD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 100VWM 162VC PLAD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 10VWM 17VC PLAD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 10VWM 17VC PLAD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 11VWM 18.2VC PLAD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 11VWM 18.2VC PLAD
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