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| Numéro d'article | MSMLJ26AE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type | Zener |
| Canaux unidirectionnels | 1 |
| Canaux bidirectionnels | - |
| Tension - Inverser l'écart (Typ) | 26V |
| Tension - Panne (Min) | 28.9V |
| Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 42.1V |
| Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) | 71.2A |
| Puissance - Impulsion de crête | 3000W (3kW) |
| Protection de ligne électrique | No |
| Applications | General Purpose |
| Capacité @ Fréquence | - |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | DO-214AB, SMC |
| Package de périphérique fournisseur | DO-214AB |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AB
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AB
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AB
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AB
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AB
En stock: 0
