Numéro d'article | JANTXV2N6059 |
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État de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 12A |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 120mA, 12A |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1mA |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 6A, 3V |
Puissance - Max | 150W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-3 |
Package de périphérique fournisseur | TO-3 (TO-204AA) |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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