Numéro d'article | JANTXV2N4449 |
---|---|
État de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 10mA, 100mA |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 400nA |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 100mA, 1V |
Puissance - Max | 360mW |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
Package de périphérique fournisseur | TO-46 (TO-206AB) |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
En stock: 87
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
En stock: 100
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
En stock: 39
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
En stock: 36
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
En stock: 4