Numéro d'article | JANTXV2N2919U |
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État de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 NPN (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30mA |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 10µA (ICBO) |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
Puissance - Max | 350mW |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | 200°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | 3-SMD, No Lead |
Package de périphérique fournisseur | 3-SMD |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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