Numéro d'article | JANTX2N5665 |
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État de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 5A |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 1A, 5A |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 200nA |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 5V |
Puissance - Max | 2.5W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-213AA, TO-66-2 |
Package de périphérique fournisseur | - |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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