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| Numéro d'article | JAN1N5806 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 2.5A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 975mV @ 2.5A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 150V |
| Capacitance @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | A, Axial |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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