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| Numéro d'article | APTM20UM09SG |
|---|---|
| État de la pièce | Discontinued at Digi-Key |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 200V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 195A |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 217nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 12300pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 780W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 74.5A, 10V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Package de périphérique fournisseur | Module |
| Paquet / cas | J3 Module |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1
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