Numéro d'article | APTM20AM04FG |
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État de la pièce | Active |
FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET Caractéristique | Standard |
Drain à la tension de source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 372A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 186A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 560nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 28900pF @ 25V |
Puissance - Max | 1250W |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / cas | SP6 |
Package de périphérique fournisseur | SP6 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1
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