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| Numéro d'article | APTM120H57FTG |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET Caractéristique | Standard |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 17A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 684 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 187nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5155pF @ 25V |
| Puissance - Max | 390W |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | SP4 |
| Package de périphérique fournisseur | SP4 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6
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