Numéro d'article | APTGV50H60BG |
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État de la pièce | Obsolete |
Type d'IGBT | NPT, Trench Field Stop |
Configuration | Boost Chopper, Full Bridge |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 80A |
Puissance - Max | 176W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 250µA |
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / cas | SP4 |
Package de périphérique fournisseur | SP4 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP2
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOD IGBT NPT 1200V 130A SP3
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT NPT PHASE 1200V 130A SP3
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 130A 735W SP1
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 135A 568W SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP3
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3
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