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| Numéro d'article | APT40GP60JDQ2 |
|---|---|
| État de la pièce | Not For New Designs |
| Type d'IGBT | PT |
| Configuration | Single |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 86A |
| Puissance - Max | 284W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 40A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 500µA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 4.61nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | SOT-227-4, miniBLOC |
| Package de périphérique fournisseur | ISOTOP® |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
En stock: 5
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
En stock: 2905
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
En stock: 355
