Numéro d'article | APT37F50B |
---|---|
État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 37A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5710pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 520W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 18A, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package de périphérique fournisseur | TO-247 [B] |
Paquet / cas | TO-247-3 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE SIC SCHOTTKY 600V SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
En stock: 14
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
En stock: 3
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
En stock: 0