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| Numéro d'article | APT36N90BC3G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 900V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 2.9mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 252nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7463pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | Super Junction |
| Dissipation de puissance (Max) | 390W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 18A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 [B] |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
En stock: 3
