provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Numéro d'article | APT33N90JCCU2 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 900V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 33A |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | Super Junction |
| Dissipation de puissance (Max) | 290W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 26A, 10V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-227 |
| Paquet / cas | SOT-227-4, miniBLOC |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 64A 357W TMAX
En stock: 10
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 52A 297W TO247
En stock: 183
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 64A 357W TO264
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
En stock: 0
