Numéro d'article | APT15GP60BG |
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État de la pièce | Not For New Designs |
Type d'IGBT | PT |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 56A |
Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 65A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 15A |
Puissance - Max | 250W |
Échange d'énergie | 130µJ (on), 121µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de porte | 55nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 8ns/29ns |
Condition de test | 400V, 15A, 5 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-247-3 |
Package de périphérique fournisseur | TO-247 [B] |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
En stock: 14
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
En stock: 3
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
En stock: 7
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
En stock: 30