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| Numéro d'article | APT10SCD65K |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 17A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 10A |
| La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 650V |
| Capacitance @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-220-2 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-220 [K] |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
En stock: 3
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
En stock: 7
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
En stock: 30
