Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - IGBT - Modules MG1275S-BA1MM

Littelfuse Inc. MG1275S-BA1MM

Numéro d'article
MG1275S-BA1MM
Fabricant
Littelfuse Inc.
La description
IGBT 1200V 105A 630W PKG S
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - IGBT - Modules
Littelfuse Inc

Littelfuse Inc

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En Stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence

    (En dollars américains)
  • 1 pcs

    32.64000/pcs
  • 10 pcs

    30.72000/pcs
  • 25 pcs

    28.80000/pcs
  • 100 pcs

    27.45600/pcs
Total:32.64000/pcs Unit Price:
32.64000/pcs
Prix ​​cible:
Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article MG1275S-BA1MM
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 105A
Puissance - Max 630W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 75A (Typ)
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 5.52nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas S-3 Module
Package de périphérique fournisseur S3
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