Numéro d'article | IX2113G |
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État de la pièce | Active |
Configuration pilotée | Half-Bridge |
Type de canal | Independent |
Nombre de pilotes | 2 |
Type de porte | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
Tension - Alimentation | 10 V ~ 20 V |
Tension logique - VIL, VIH | 6V, 9.5V |
Courant - sortie de crête (source, évier) | 2A, 2A |
Type d'entrée | Non-Inverting |
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) | 600V |
Rise / Fall Time (Typ) | 9.4ns, 9.7ns |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package de périphérique fournisseur | 14-DIP |
Fabricant: IXYS Integrated Circuits Division
La description: BOARD EVAL DEMO IX2113 MOSFET
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Fabricant: IXYS Integrated Circuits Division
La description: BOARD EVAL DEMO IX21844
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