Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - IGBT - Modules IXXN110N65B4H1

IXYS IXXN110N65B4H1

Numéro d'article
IXXN110N65B4H1
Fabricant
IXYS
La description
IGBT 650V 215A 750W SOT227B
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - IGBT - Modules
IXYS

IXYS

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En Stock $ Quantité pcs
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    (En dollars américains)
  • 1 pcs

    12.52000/pcs
  • 10 pcs

    11.57900/pcs
  • 25 pcs

    10.64040/pcs
  • 100 pcs

    9.88920/pcs
  • 250 pcs

    9.07556/pcs
Total:12.52000/pcs Unit Price:
12.52000/pcs
Prix ​​cible:
Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article IXXN110N65B4H1
État de la pièce Active
Type d'IGBT PT
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 215A
Puissance - Max 750W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 110A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 50µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 3.65nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC
Package de périphérique fournisseur SOT-227B
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