Numéro d'article | IXTT11P50 |
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État de la pièce | Active |
FET Type | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4700pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 300W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 5.5A, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | TO-268 |
Paquet / cas | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Fabricant: IXYS
La description: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
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Fabricant: IXYS
La description: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
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Fabricant: IXYS
La description: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
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Fabricant: IXYS
La description: MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263
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Fabricant: IXYS
La description: MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
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Fabricant: IXYS
La description: MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
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Fabricant: IXYS
La description: MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
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Fabricant: IXYS
La description: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
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