Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - IGBT - Simples IXDR35N60BD1

IXYS IXDR35N60BD1

Numéro d'article
IXDR35N60BD1
Fabricant
IXYS
La description
IGBT 600V 38A 125W ISOPLUS247
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - IGBT - Simples
IXYS

IXYS

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Paramètre du produit
Numéro d'article IXDR35N60BD1
État de la pièce Active
Type d'IGBT NPT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 38A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 48A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 35A
Puissance - Max 125W
Échange d'énergie 1.6mJ (on), 800µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 140nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -
Condition de test 300V, 35A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 40ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas ISOPLUS247™
Package de périphérique fournisseur ISOPLUS247™
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