Infineon Technologies IRF7341TRPBF

Numéro d'article: IRF7341TRPBF
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Infineon Technologies

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Prix de référence
(En dollars américains)
1 pcs
0.47000/pcs
10 pcs
0.44250/pcs
100 pcs
0.34975/pcs
500 pcs
0.27124/pcs
1,000 pcs
0.21413/pcs

Total:0.47000/pcs

Unit Price:

0.47000/pcs

Prix cible:

Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	IRF7341TRPBF
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	740pF @ 25V
Puissance - Max	2W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-SO