Numéro d'article | IPP65R065C7XKSA1 |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 850µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3020pF @ 400V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 171W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 17.1A, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package de périphérique fournisseur | PG-TO-220-3 |
Paquet / cas | TO-220-3 |
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 650V 46A TO-220-3
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 650V TO-220-3
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 650V TO-220-3
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 650V 38A TO220
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 650V TO-220-3
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 650V TO-220-3
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
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