Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples IPP65R065C7XKSA1

Infineon Technologies IPP65R065C7XKSA1

Numéro d'article
IPP65R065C7XKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Paramètre du produit
Numéro d'article IPP65R065C7XKSA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 33A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 850µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3020pF @ 400V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 17.1A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur PG-TO-220-3
Paquet / cas TO-220-3
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