Infineon Technologies IPD30N03S4L-09

Numéro d'article: IPD30N03S4L-09
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Infineon Technologies

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Paramètre du produit

Numéro d'article	IPD30N03S4L-09
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 13µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1520pF @ 15V
Vgs (Max)	±16V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 30A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO252-3
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63