Infineon Technologies IPB017N06N3 G

Numéro d'article: IPB017N06N3 G
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Infineon Technologies

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Paramètre du produit

Numéro d'article	IPB017N06N3 G
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 196µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	275nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	23000pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-7
Paquet / cas	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)