Infineon Technologies IPAW60R600CEXKSA1

Numéro d'article: IPAW60R600CEXKSA1
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 600V TO220-3
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Infineon Technologies

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Prix de référence
(En dollars américains)
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Paramètre du produit

Numéro d'article	IPAW60R600CEXKSA1
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	10.3A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	20.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	444pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	Super Junction
Dissipation de puissance (Max)	28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 2.4A, 10V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	PG-TO220 Full Pack
Paquet / cas	TO-220-3 Full Pack